【2018年度】

発表者森戸春彦,  <口頭(一般)>
標題Na-Ga-Si三元系クラスレートの結晶構造および電子状態解析
学会名日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会
発表年月日2019/3/21
発表場所東京電機大学、東京都足立区
  
発表者前田健作,  <口頭(一般)>
標題A {112}Σ3 boundary grown from the decomposition of a Σ9 boundary during directional solidification of multicrystalline silicon
学会名日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会
発表年月日2019/3/21
発表場所東京電機大学、東京都足立区
  
発表者志賀敬次,  <口頭(一般)>
標題GaSbの一方向凝固過程におけるデンドライト成長のその場観察
学会名日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会
発表年月日2019/3/21
発表場所東京電機大学、東京都足立区
  
発表者二見航平,  <口頭(一般)>
標題SnフラックスによるNa-Siクラスレートの結晶成長制御
学会名日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会
発表年月日2019/3/21
発表場所東京電機大学、東京都足立区
  
発表者胡寛侃,  <口頭(一般)>
標題Morphological transformation of melt crystal Si interface including twin boundaries
学会名日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会
発表年月日2019/3/20
発表場所東京電機大学、東京都足立区
  
発表者荘履中,  <口頭(招待)>
標題In situ observation of interaction between grain boundaries during directional solidification of Si
学会名3rd German Polish Conference on Crystal Growth (GPCCG3)
発表年月日2019/3/20
発表場所Poznan University of Technology, Poznań,Poland
  
発表者前田健作,  <口頭(招待)>
標題Formation mechanism of twin boundary and fabrication of periodically-twinned structure in borate crystal
学会名International Symposium on Modeling of Crystal Growth Processes and Devices(MCGPD-2019)
発表年月日2019/2/28
発表場所SSN College of Engineering, Kalavakkam,India
  
発表者荘履中,  <口頭(招待)>
標題Influence of grain boundary dislocations on the direction of a small-angle grain boundary in multicrystalline silicon during directional solidification
学会名International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals 2018(ISSCGF-2018)
発表年月日2018/11/5
発表場所秋湯温泉佐勘、宮城県仙台市
  
発表者森戸春彦,  <口頭(一般)>
標題Na-Si-Ga三元系クラスレートの単結晶育成
学会名第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)
発表年月日2018/11/2
発表場所仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市
  
発表者前田健作,  <口頭(一般)>
標題ホウ酸塩結晶成長における包有物の形成過程
学会名第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)
発表年月日2018/11/2
発表場所仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市
  
発表者荘履中,  <口頭(一般)>
標題Initiation and development of small-angle grain boundaries during directional solidification of multicrystalline silicon
学会名第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)
発表年月日2018/11/2
発表場所仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市
  
発表者河野優人,  <口頭(一般)>
標題一方向成長過程におけるGaSb固液界面のその場観察
学会名第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)
発表年月日2018/11/2
発表場所仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市
  
発表者二見航平,  <口頭(一般)>
標題Na-Siクラスレートの結晶成長におけるSnフラックスの効果
学会名第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)
発表年月日2018/11/2
発表場所仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市
  
発表者胡寛侃,  <口頭(一般)>
標題Grain boundary development during directional solidification of mc-Si
学会名第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)
発表年月日2018/11/1
発表場所仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市
  
発表者新津陽,  <口頭(一般)>
標題純銅の融点における粒界エネルギーの測定
学会名第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)
発表年月日2018/11/1
発表場所仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市
  
発表者吉澤拓哉,  <口頭(一般)>
標題BiSbにおける固液界面不安定化のその場観察
学会名第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)
発表年月日2018/11/1
発表場所仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市
  
発表者森戸春彦,  <口頭(一般)>
標題Snフラックスを用いたNa-Ga-Siクラスレートの単結晶育成
学会名日本金属学会2018年秋期講演大会
発表年月日2018/9/20
発表場所東北大学川内北キャンパス、宮城県仙台市
  
発表者荘履中,  <口頭(一般)>
標題Origin of small-angle grain boundaries during directional solidification in multicrystalline silicon
学会名日本金属学会2018年秋期講演大会
発表年月日2018/9/20
発表場所東北大学川内北キャンパス、宮城県仙台市
  
発表者胡寛侃,  <口頭(一般)>
標題Moving direction of grain boundary during directional solidification of mc-Si
学会名日本金属学会2018年秋期講演大会
発表年月日2018/9/20
発表場所東北大学川内北キャンパス、宮城県仙台市
  
発表者BILLAU Leo,  <口頭(一般)>
標題Influence of temperature gradient on solid-melt interface perturbation for pure antimony
学会名日本金属学会2018年秋期講演大会
発表年月日2018/9/20
発表場所東北大学川内北キャンパス、宮城県仙台市
  
発表者森戸春彦,  <口頭(招待)>
標題Crystal growth of Na-Si clathrates by evaporation of Na from the Na-Si-Sn solution
学会名THERMEC'2018
発表年月日2018/7/11
発表場所Cité des Sciences et de l'Industrie, Paris,France
  
発表者森戸春彦,  <口頭(招待)>
標題Single crystal growth of silicon clathrate
学会名10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells(CSSC-10)
発表年月日2018/4/11
発表場所東北大学金属材料研究所、宮城県仙台市