【2018年度】
発表者 | 森戸春彦, <口頭(一般)> |
標題 | Na-Ga-Si三元系クラスレートの結晶構造および電子状態解析 |
学会名 | 日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会 |
発表年月日 | 2019/3/21 |
発表場所 | 東京電機大学、東京都足立区 |
発表者 | 前田健作, <口頭(一般)> |
標題 | A {112}Σ3 boundary grown from the decomposition of a Σ9 boundary during directional solidification of multicrystalline silicon |
学会名 | 日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会 |
発表年月日 | 2019/3/21 |
発表場所 | 東京電機大学、東京都足立区 |
発表者 | 志賀敬次, <口頭(一般)> |
標題 | GaSbの一方向凝固過程におけるデンドライト成長のその場観察 |
学会名 | 日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会 |
発表年月日 | 2019/3/21 |
発表場所 | 東京電機大学、東京都足立区 |
発表者 | 二見航平, <口頭(一般)> |
標題 | SnフラックスによるNa-Siクラスレートの結晶成長制御 |
学会名 | 日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会 |
発表年月日 | 2019/3/21 |
発表場所 | 東京電機大学、東京都足立区 |
発表者 | 胡寛侃, <口頭(一般)> |
標題 | Morphological transformation of melt crystal Si interface including twin boundaries |
学会名 | 日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会 |
発表年月日 | 2019/3/20 |
発表場所 | 東京電機大学、東京都足立区 |
発表者 | 荘履中, <口頭(招待)> |
標題 | In situ observation of interaction between grain boundaries during directional solidification of Si |
学会名 | 3rd German Polish Conference on Crystal Growth (GPCCG3) |
発表年月日 | 2019/3/20 |
発表場所 | Poznan University of Technology, Poznań,Poland |
発表者 | 前田健作, <口頭(招待)> |
標題 | Formation mechanism of twin boundary and fabrication of periodically-twinned structure in borate crystal |
学会名 | International Symposium on Modeling of Crystal Growth Processes and Devices(MCGPD-2019) |
発表年月日 | 2019/2/28 |
発表場所 | SSN College of Engineering, Kalavakkam,India |
発表者 | 荘履中, <口頭(招待)> |
標題 | Influence of grain boundary dislocations on the direction of a small-angle grain boundary in multicrystalline silicon during directional solidification |
学会名 | International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals 2018(ISSCGF-2018) |
発表年月日 | 2018/11/5 |
発表場所 | 秋湯温泉佐勘、宮城県仙台市 |
発表者 | 森戸春彦, <口頭(一般)> |
標題 | Na-Si-Ga三元系クラスレートの単結晶育成 |
学会名 | 第47回結晶成長国内会議(JCCG-47) |
発表年月日 | 2018/11/2 |
発表場所 | 仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市 |
発表者 | 前田健作, <口頭(一般)> |
標題 | ホウ酸塩結晶成長における包有物の形成過程 |
学会名 | 第47回結晶成長国内会議(JCCG-47) |
発表年月日 | 2018/11/2 |
発表場所 | 仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市 |
発表者 | 荘履中, <口頭(一般)> |
標題 | Initiation and development of small-angle grain boundaries during directional solidification of multicrystalline silicon |
学会名 | 第47回結晶成長国内会議(JCCG-47) |
発表年月日 | 2018/11/2 |
発表場所 | 仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市 |
発表者 | 河野優人, <口頭(一般)> |
標題 | 一方向成長過程におけるGaSb固液界面のその場観察 |
学会名 | 第47回結晶成長国内会議(JCCG-47) |
発表年月日 | 2018/11/2 |
発表場所 | 仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市 |
発表者 | 二見航平, <口頭(一般)> |
標題 | Na-Siクラスレートの結晶成長におけるSnフラックスの効果 |
学会名 | 第47回結晶成長国内会議(JCCG-47) |
発表年月日 | 2018/11/2 |
発表場所 | 仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市 |
発表者 | 胡寛侃, <口頭(一般)> |
標題 | Grain boundary development during directional solidification of mc-Si |
学会名 | 第47回結晶成長国内会議(JCCG-47) |
発表年月日 | 2018/11/1 |
発表場所 | 仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市 |
発表者 | 新津陽, <口頭(一般)> |
標題 | 純銅の融点における粒界エネルギーの測定 |
学会名 | 第47回結晶成長国内会議(JCCG-47) |
発表年月日 | 2018/11/1 |
発表場所 | 仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市 |
発表者 | 吉澤拓哉, <口頭(一般)> |
標題 | BiSbにおける固液界面不安定化のその場観察 |
学会名 | 第47回結晶成長国内会議(JCCG-47) |
発表年月日 | 2018/11/1 |
発表場所 | 仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市 |
発表者 | 森戸春彦, <口頭(一般)> |
標題 | Snフラックスを用いたNa-Ga-Siクラスレートの単結晶育成 |
学会名 | 日本金属学会2018年秋期講演大会 |
発表年月日 | 2018/9/20 |
発表場所 | 東北大学川内北キャンパス、宮城県仙台市 |
発表者 | 荘履中, <口頭(一般)> |
標題 | Origin of small-angle grain boundaries during directional solidification in multicrystalline silicon |
学会名 | 日本金属学会2018年秋期講演大会 |
発表年月日 | 2018/9/20 |
発表場所 | 東北大学川内北キャンパス、宮城県仙台市 |
発表者 | 胡寛侃, <口頭(一般)> |
標題 | Moving direction of grain boundary during directional solidification of mc-Si |
学会名 | 日本金属学会2018年秋期講演大会 |
発表年月日 | 2018/9/20 |
発表場所 | 東北大学川内北キャンパス、宮城県仙台市 |
発表者 | BILLAU Leo, <口頭(一般)> |
標題 | Influence of temperature gradient on solid-melt interface perturbation for pure antimony |
学会名 | 日本金属学会2018年秋期講演大会 |
発表年月日 | 2018/9/20 |
発表場所 | 東北大学川内北キャンパス、宮城県仙台市 |
発表者 | 森戸春彦, <口頭(招待)> |
標題 | Crystal growth of Na-Si clathrates by evaporation of Na from the Na-Si-Sn solution |
学会名 | THERMEC'2018 |
発表年月日 | 2018/7/11 |
発表場所 | Cité des Sciences et de l'Industrie, Paris,France |
発表者 | 森戸春彦, <口頭(招待)> |
標題 | Single crystal growth of silicon clathrate |
学会名 | 10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells(CSSC-10) |
発表年月日 | 2018/4/11 |
発表場所 | 東北大学金属材料研究所、宮城県仙台市 |