研究内容

当グループでは、結晶成長の中でも特に融液成長に関する研究に注力しています。独自に開発した“その場”観察装置を用いて固液界面で起こる様々な現象を学術的に解明します。この基礎研究で得られた知見を基に、実用的に有用な新しい結晶成長技術の開発に努めます。高品質・高均質な太陽電池用Si多結晶インゴットの成長技術の開発は、太陽電池のエネルギー変換効率の飛躍的向上のためには欠かせない課題であり、当グループでは真に社会に役立つ成果を求めて真摯に研究に取り組んでいます。

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インフォメーション

2019/8/2New!

志賀助教が19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)(アメリカ)において、研究発表を行いました。
研究タイトル「IN SITU OBSERVATION OF DENDRITE GROWTH IN GALLIUM ANTIMONIDE」 →詳細はこちら

2019/8/1New!

前田助教が19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)(アメリカ)において、研究発表を行いました。
研究タイトル「TWIN BOUNDARY FORMATION DEPENDING ON CRYSTAL/LIQUID INTERFACE MORPHOLOGY IN LITHIUM TETRABORATE」 →詳細はこちら

2019/8/1New!

D2胡寛侃君が19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)(アメリカ)において、研究発表を行いました。
研究タイトル「THE EFFECT OF GRAIN BOUNDARIES ON INSTABILITY AT THE CRYSTALMELT INTERFACE DURING THE UNIDIRECTIONAL GROWTH OF SI」 →詳細はこちら

2019/7/30New!

D3荘履中君が19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)(アメリカ)において、研究発表を行いました。
研究タイトル「GRAIN BOUNDARY EVOLUTIONS AND INTERACTIONS AT THE CRYSTAL/MELT INTERFACE OF SILICON DURING DIRECTIONAL SOLIDIFICATION」 →詳細はこちら

2019/5/29

D3荘履中君が第137回東北大学金属材料研究所講演会において、優秀ポスター賞を受賞いたしました。
研究タイトル「A {112}Σ3 grain boundary generated from the decomposition of a Σ9 grain boundary in multicrystalline silicon during directional solidification.」 →詳細はこちら →写真館はこちら

2019/5/22

森戸春彦准教授がインテリジェント・コスモス学術振興財団より奨励賞を受賞いたしました。
研究タイトル「金属フラックスを用いたシリコンクラスレートの新規単結晶育成法の開発」
インテリジェント・コスモス奨励賞は、科学技術分野において優れた研究テーマを持つ将来有望な若手研究者、及び東北の産業支援に貢献する優れた研究技術の開発に対し授与されます。 授賞式は5月13日に行われ、5月22日付けの河北新報で紹介記事が掲載されました。→詳細はこちら

2019/4/1

藤原研究室に新たなメンバーが加わりました。→詳細はこちら

2019/3/21

森戸准教授が日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会(東京)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Na-Ga-Si三元系クラスレートの結晶構造および電子状態解析

2019/3/21

前田助教が日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会(東京)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:A {112}Σ3 boundary grown from the decomposition of a Σ9 boundary during directional solidification of multicrystalline silicon

2019/3/21

志賀助教が日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会(東京)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:GaSbの一方向凝固過程におけるデンドライト成長のその場観察

2019/3/21

(M1)二見航平君が日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会(東京)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:SnフラックスによるNa-Siクラスレートの結晶成長制御

2019/3/20

(D2)胡寛侃君が日本金属学会2019年春期(第164回)講演大会(東京)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Morphological transformation of melt crystal Si interface including twin boundaries

2019/3/20

(D3)荘履中君が3rd German Polish Conference on Crystal Growth (GPCCG3)(ポズナン、ポーランド)において、招待講演を行いました。→詳細はこちら
題目:In situ observation of interaction between grain boundaries during directional solidification of Si

2019/2/28

前田助教がInternational Symposium on Modeling of Crystal Growth Processes and Devices(MCGPD-2019)(カラバッカム、インド)において、招待講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Formation mechanism of twin boundary and fabrication of periodically-twinned structure in borate crystal

2018/11/5

(D3)荘履中君がInternational Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals 2018(ISSCGF-2018)(秋保)において、招待講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Influence of grain boundary dislocations on the direction of a small-angle grain boundary in multicrystalline silicon during directional solidification

2018/11/2

森戸准教授が第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)(仙台)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Na-Si-Ga三元系クラスレートの単結晶育成

2018/11/2

前田助教が第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)(仙台)において、ポスターセッションを行いました。→詳細はこちら
題目:ホウ酸塩結晶成長における包有物の形成過程

2018/11/2

(D3)荘履中君が第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)(仙台)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Initiation and development of small-angle grain boundaries during directional solidification of multicrystalline silicon

2018/11/2

(M2)河野優人君が第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)(仙台)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:一方向成長過程におけるGaSb固液界面のその場観察

2018/11/2

(M1)二見航三君が第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)(仙台)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Na-Siクラスレートの結晶成長におけるSnフラックスの効果

2018/11/1

(D2)胡寛侃君が第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)(仙台)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Grain boundary development during directional solidification of mc-Si

2018/11/1

(M2)新津陽君が第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)(仙台)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:純銅の融点における粒界エネルギーの測定

2018/11/1

(M1)吉澤拓哉君が第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)(仙台)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:BiSbにおける固液界面不安定化のその場観察

2018/9/20

森戸准教授が日本金属学会2018年秋期講演大会(仙台)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Snフラックスを用いたNa-Ga-Siクラスレートの単結晶育成

2018/9/20

(D2)荘履中君が日本金属学会2018年秋期講演大会(仙台)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Origin of small-angle grain boundaries during directional solidification in multicrystalline silicon

2018/9/20

(D1)胡寛侃君が日本金属学会2018年秋期講演大会(仙台)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Moving direction of grain boundary during directional solidification of mc-Si

2018/9/20

(M2)BILLAUT Leo君が日本金属学会2018年秋期講演大会(仙台)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Influence of temperature gradient on solid-melt interface perturbation for pure antimony

2018/7/11

森戸准教授がTHERMEC'2018(パリ、フランス)において、招待講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Crystal growth of Na-Si clathrates by evaporation of Na from the Na-Si-Sn solution

2018/4/11

当研究所(金属材料研究所)において、10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells(CSSC-10)が開催され、森戸准教授が招待講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Single crystal growth of silicon clathrate

2018/4/1

藤原研究室に新たなメンバーが加わりました。→詳細はこちら                    

2018/3/21

前田助教が日本金属学会2018年春期講演大会(千葉)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Si多結晶の凝固過程における双晶形成に固液界面形状が及ぼす影響

2018/3/21

志賀助教が日本金属学会2018年春期講演大会(千葉)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:純アンチモンの融液成長のその場観察と結晶方位解析

2018/3/21

(D2)荘履中君が日本金属学会2018年春期講演大会(千葉)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Interactions between small-angle grain boundaries and Σ3 twin boundaries during solidification of multi-crystalline silicon

2017/11/29

森戸准教授が第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)(浜松)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:金属フラックスを用いたNa内包型Siクラスレートの単結晶育成

2017/11/29

前田助教が第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)(浜松)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:四ホウ酸リチウムの双晶形成頻度と融液組成の関係

2017/11/29

志賀助教が第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)(浜松)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:一方向凝固過程におけるアンチモンの固液界面不安定化のその場観察

2017/11/29

(D2)荘履中君が第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)(浜松)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Interactions between grain boundaries during solidification of multicrystalline silicon

2017/11/29

(M2)前田亮一君が第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)(浜松)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Si多結晶の固液界面における双晶界面の形成機構

2017/11/29

(M1)新津陽君が第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)(浜松)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:CuとSiの固液界面不安定化のその場観察

2017/10/26 

当研究室元教育研究支援者が設立しました東北大学発ベンチャー「株式会社パンソリューションテクノロジーズ」の記者発表が行われました。→詳細はこちら                  

2017/10/01 

藤原研究室に新たなメンバーが加わりました。→詳細はこちら                    

2017/09/07

藤原教授が日本鉄鋼協会第174回秋季講演大会(札幌)において、招待講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Siの融液成長挙動のその場観察  

2017/09/07

森戸准教授が日本金属学会2017年秋期(第161回)講演大会(札幌)において、研究発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Na-Si-Gaクラスレート化合物の合成と結晶構造解析  

2017/08/10

森戸准教授がEnergy Materials Nanotechnology Collaborative Conference on Crystal Growth Meeting 2017 (EMN 3CG Meeting 2017)(ベルリン、ドイツ)において、招待講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Single crystal growth of Na-Si clathrates  

2017/07/28

森戸准教授がthe 10th International Conference on Emerging Materials and Nanotechnology(バンクーバー、カナダ)において、招待講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Crystal growth of Na-Si clathrates by the flux method  

2017/06/18

藤原教授がInstitut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence(IM2NP)セミナー(マルセイユ、フランス)において、招待講演を行いました。
題目:Morphological transformation of crystal/melt interface of Si 

2017/04/24

森戸准教授がEnergy Materials Nanotechnology Ceramics Meeting (EMN Ceramics Meeting)(メルボルン、オーストラリア)において、招待講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Synthesis of sodium-boride ceramics  

2017/04/01

藤原研究室に新たなメンバーが加わりました。→詳細はこちら                    

2017/03/17

森戸准教授が日本金属学会2017年春期講演大会(東京)において、一般講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Na-Snフラックス法によるNa-Siクラスレート単結晶の作製条件  

2017/03/17

(M1)前田亮一君が 日本金属学会2017年春期講演大会(東京)において、一般講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Si多結晶の一方向成長過程における双晶界面の形成過程の直接観察  

2016/11/18

藤原教授が Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ)コロキウム(ベルリン、ドイツ)において、招待講演を行いました。→詳細はこちら
題目:In situ observations of crystal/melt interface during directional solidification of Si  

2016/10/30

藤原教授が2016 Russia-Japan Conference "Advanced Materials: Synthesis, Processing and Properties of Nanostructures"(ノボシビルスク、ロシア)において、招待講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Morphological transformation of crystal/melt interface of silicon       

2016/10/01    

藤原研究室に新たなメンバーが加わりました。→詳細はこちら     

2016/09/7

藤原教授がEnergy Materials Nanotechnology The Collaborative Conference on CrystalGrowth 2016(EMN 3CG 2016)(サンセバスチャン、スペイン)において、招待講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Melt growth mechanisms and crystal growth technology of multicrystalline Si for solar cells

2016/08/12

藤原教授がThe 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)(名古屋)において、一般講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Development of growth technology of mc-Si ingot suppressing impurity contamination     

2016/08/09

前田助教がThe 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)(名古屋)において、一般講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Twinned borate crystal growth on curved crystal/liquid interface

2016/08/03

森戸准教授が9th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing(PRICM9)(京都)において、ポスター発表を行いました。→詳細はこちら
題目:Crystal Growth of Na-Si Clathrates from a Na-Si-Sn

2016/06/01

藤原研究室に新たなメンバーが加わりました。→詳細はこちら                     

2016/05/11

前田助教がThe 10th Asia-Pacific Laser Symposium(APLS 2016)(済州島、韓国)において、招待講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Fabrication of periodically-twinned borate crystal for quasi-phase-matching

2016/04/06

藤原教授が5th International Workshop on Directianally Solodified Eutectic Ceramics(ワルシャワ、ポーランド)において、招待講演を行いました。→詳細はこちら
題目:In situ observations of interface instability and dendrite growth of silicon 

2016/04/01

藤原研究室に新たなメンバーが加わりました。→詳細はこちら                    

2015/01/29

結晶物理学研究部門の教員(准教授)を公募します。【応募締切】平成28年3月31日→詳細はこちら→公募を〆切ました。

2015/09/18

結晶物理学研究部門の教員(助教)を公募します。【応募締切】平成27年12月18日→詳細はこちら→公募を〆切ました。

2015/06/15

藤原教授が11th International Conference on Ceramic Materials and Components for Energy and Environmental Applications(バンクーバー、カナダ)におうて、招待講演を行いました。→詳細はこちら
題目:In situ observations of crystal/melt interface during unidirectional growth of silicon

2015/05/29

藤原教授が第129回 東北大学金属材料研究所講演会において、講演を行いました。→詳細はこちら
題目:Siの融液成長メカニズムと太陽電池用インゴットの成長

2015/04/01

藤原研究室がスタートしました。

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